Máy XRF phân tích chất độc hại và đo lớp mạ iEDX-200AT

Máy XRF phân tích chất độc hại và đo lớp mạ iEDX-200AT

Máy XRF phân tích chất độc hại và đo lớp mạ iEDX-200AT

Nguyên lý phân tích

Bản thân của mỗi lớp phủ sẽ phát ra tia X có năng lượng khác nhau, năng lượng này & độ dày của vật liệu lớp phủ có mối tương quan với nhau. Độ dày của lớp phủ được xác định bởi năng lượng của huỳnh quang tia X bị hấp thụ.

 

Đặc tính sản phẩm

Đo độ dày lớp phủ, phân tích nguyên tố độc hại và phân tích thành phần kim loại.

Dùng tia X để đo độ dày lớp phủ bằng phương pháp đo không phá hủy, không tiếp xúc.

Phân tích đo lường các sản phẩm khác nhau: Phân tích lớp phủ đơn, lớp phủ kép, lớp phủ hợp kim, dung dịch lớp phủ.

Định vị chính xác vị trí camera và điểm đo lường thông qua chức năng điều khiển trục tự động, chức năng sắp đặt giai đoạn tự động 

 

Lĩnh vực ứng dụng

Đo tại hiện trường/ Đo không phá hủy

Đo cho phụ tùng ô tô, bảng mạch điện tử, đầu kết nối điện tử và các sản phẩm IT.

Đo lường thành phần lớp phủ giá trị lớn với độ chính xác cao.

Đo lường chiều dày lớp phủ kim loại qúy.

Nghiên cứu, phát triển, kiểm soát chất lượng sản phẩm

Thông số kỹ thuật chính

Phương pháp đo: Phân tích năng lượng X-ray phân tán
Loại mẫu: Nhiều lớp/ Rắn/ lỏng/ bột 
Ống X-ray: Nguồn W  50kVp, 1mA
Bộ lọc: 5 bộ lọc tự động 
Hệ thống phát hiện: SDD (Silicon Drift Detector), Si-Pin Diode(Peltier System)

Năng lượng giải phóng: 35 eV FWHM at Mn Kα

Nguyên tố phát hiện: Na(11) ~ U(92)

Diện tích vùng đo:  0.1, 0.2, 0.4, 0.5, 1 mm

Phần mềm hệ điều hành: FP / Đường cong hiệu chuẩn, hấp thụ, huỳnh quang 

Phương pháp phân tích: 2stage CCD Camera

Hệ thống điều khiển: Máy tính bàn, cổng giao tiếp USB, máy tính xách tay

Kích thuốc buồng mẫu: 500 X 470 X 200 mm (W x D x H), wide PCB support

Khoảng cách di chuyển mẫu: 200 X 200 X 150 mm (X x Y x Z), wide PCB support

Kích thước máy: 500 X 700 X 570 mm (W x D x H)

Nguồn điện: 110/220 VAC 50~60Hz

Khối lượng: 85Kg

Application-Reports